半桥电路的半桥电路？

一、半桥电路的半桥电路？

半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡

半桥结构如是两个功率开关器件以图腾柱的形式相连接，以中间点作为输出，提供方波信号。

二、半桥拓扑电源原理？

    半桥电路处于连续工作模式时,在一个开关周期内经历四种开关状态,其中状态2和状态4是相同的。为半桥电路连续电流模式波形: 状态一:t0~t1,S1导通,S2断开,这时电容C1给变压器充能,形成从变压器原边同名端流入的电流。

   依据楞次定律,变压器副边会产生从同名端流出的电流来阻碍磁通增加,此时上绕组的二极管VD1导通,形成回路:上绕组N2→二极管VD1→电感L→负载R。

三、半桥电路公式？

设整流前的电压有效值为U2、

电阻负载，RL—负载电阻。

全波整流后的电压平均值U0≈0.9×U2，

半波整流后电压平均值U0≈0.45×U2

四、半桥电路与全桥电路的区别？

半桥电路指半波整流电路，半波整流电路一般情况下只需要一个二极管，变压器绕组交流电正半周时D导通，负半周时D截止，负载R上得到的是脉动的直流电。

全桥电路指桥式整流电路，也可认为它是全波整流电路的一种，变压器绕组按接四只二极管D1～D4，四只相同的整流二极管，接成电桥形式，故称桥式整流电路。

利用二极管的导引作用，使在负半周时也能把次级输出引向负载。在正半周时由D1、D2导引电流自上而下通过负载，负半周时由D3、D4导引电流也是自上而下通过负载 ， 从而实现了全波整流。

五、半桥电路详细讲解？

      在PWM和电子镇流器当中，半桥电路发挥着重要的作用。半桥电路由两个功率开关器件组成，它们以图腾柱的形式连接在一起，并进行输出，提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理，以及半桥电路当中应该注意的一些问题，希望能够帮助电源新手们更快的理解半桥电路。

首先我们先来了解一下半桥电路的基本拓扑：

半桥电路的基本拓扑电路图

电容器C1和C2与开关管Q1、Q2组成桥，桥的对角线接变压器T1的原边绕组，故称半桥变换器。如果此时C1=C2，那么当某一开关管导通时，绕组上的电压只有电源电压的一半。

半桥电路概念的引入及其工作原理

电路的工作过程大致如下：

参照半桥电路的基本拓扑电路图，其中Q1开通，Q2关断，此时变压器两端所加的电压为母线电压的一半，同时能量由原边向副边传递。

Q1关断，Q2关断，此时变压器副边两个绕组由于整流二极管两个管子同时续流而处于短路状态，原边绕组也相当于短路状态。

Q1关断，Q2开通。此时变压器两端所加的电压也基本上是母线电压的一半，同时能量由原边向副边传递。副边两个二极管完成换流。

半桥电路中应该注意的几点问题

偏磁问题

原因：由于两个电容连接点A的电位是随Q1、Q2导通情况而浮动的，所以能够自动的平衡每个晶体管开关的伏秒值，当浮动不满足要求时，假设Q1、Q2具有不同的开关特性，即在相同的基极脉冲宽度t=t1下，Q1关断较慢，Q2关断较快，则对B点的电压就会有影响，就会有有灰色面积中A1、A2的不平衡伏秒值，原因就是Q1关断延迟。

如果要这种不平衡的波形驱动变压器，将会发生偏磁现象，致使铁心饱和并产生过大的晶体管集电极电流，从而降低了变换器的效率，使晶体管失控，甚至烧毁。

在变压器原边串联一个电容的工作波形图

解决办法：在变压器原边线圈中加一个串联电容C3，则与不平衡的伏秒值成正比的直流偏压将被次电容滤掉，这样在晶体管导通期间，就会平衡电压的伏秒值，达到消除偏磁的目的。

用作桥臂的两个电容选用问题：

从半桥电路结构上看，选用桥臂上的两个电容C1、C2时需要考虑电容的均压问题，尽量选用C1=C2的电容，那么当某一开关管导通时，绕组上的电压只有电源电压的一半，达到均压效果，一般情况下，还要在两个电容两端各并联一个电阻(原理图中的R1和R2)并且R1=R2进一步满足要求，此时在选择阻值和功率时需要注意降额。此时，电容C1、C2的作用就是用来自动平衡每个开关管的伏秒值，(与C3的区别：C3是滤去影响伏秒平衡的直流分量)。

直通问题：

所谓直通，就是Q1、Q2在某一时刻同时导通的现象，此时会构成短路。

解决措施：

可以对驱动脉冲宽度的最大值加以限制，使导通角度不会产生直通。

还可以从拓扑上解决问题，才用交叉耦合封闭电路，使一管子导通时，另一管子驱动在封闭状态，直到前一个管子关断，封闭才取消，后管才有导通的可能，这种自动封锁对存储时间、参数分布有自动适应的优点，而且对占空比可以满度使用的。

副边为全波电路

副边为全桥电路

两个电路的选择主要是考虑以下两点：

1、根据输出电压的高低，考虑管子的安全问题；

2、功率损耗的问题，主要是开关管和副边绕组的损耗问题；

半桥电路的驱动问题：

1、原边线圈过负载限制：要给原边的功率管提供独立的电流限制；

2、软启动：启动时，要限制脉宽，使得脉宽在启动的最初若干个周期中慢慢上升；

3、磁的控制：控制晶体管驱动脉冲宽度相等，要使正反磁通相等，不产生偏磁；

4、防止直通：要控制占空比上限缩小；

5、电压的控制和隔离：电路要闭环控制，隔离可以是光电隔离器、变压器或磁放大器等；

6、过压保护：通常是封闭变换器的开关脉冲以进行过压保护；

7、电流限制：电流限制安装在输入或输出回路上，在发生短路时候起作用；

8、输入电压过低保护：规定只有在发挥良好性能的足够高的电压下才能启动；

9、此外，还要有合适的辅助功能：如浪涌电流限制和输出滤波环节等。

半桥电路的驱动特点：

1、上下桥臂不共地，即原边电路的开关管不共地。

2、隔离驱动。

六、半桥电路实验接法？

整理桥接法如下：整流桥是两串两并四个二极管，交流电源接到二极管的接点上，正负直流分别从二极管的负极和正极输出。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。

半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

七、半桥电路公式推导？

半桥电路

上部晶体管

常用T2表示，其具有一源极被连接到输出端(120)，以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压；

下部晶体管

常用T1表示，其具有一源极被连接到轨(140)用于施加低直流电压，以及具有一漏极被连接到输出端(120)；

主要组成

上部晶体管控制电路(HS)，用于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2)；以及下部晶体管控制电路(110)，用于通过把一个信号施加到下部晶体管(T1)的控制端而驱动下部晶体管(T1)，该下部晶体管控制电路 (110)包括：第三晶体管(T3)，其具有一漏极被连接到输出端(120)，以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极，该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1)的控制端；以及第四晶体管(T4)，其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端，以及其具有一源极被连接到用于施加低直流电压的轨(140)。

半桥电路

八、半桥移相电路？

S1与S2交替导通，使变压器一次侧形成幅值为Ui/2的交流电压。改变开关的占空比，就可以改变二次侧整流电压ud的平均值，也就改变了输出电压Uo

S1导通时，二极管VD1处于通态，S2导通时，二极管VD2处于通态，当两个开关都关断时，变压器绕组N1中的电流为零，VD1和VD2都处于通态，各分担一半的电流。

S1或S2导通时电感L的电流逐渐上升，两个开关都关断时，电感L的电流逐渐下降.S1和S2断态时承受的峰值电压均为Ui。

由于电容的隔直作用，半桥电路对由于两个开关导通时间不对称而造成的变压器一次侧电压的直流分量有自动平衡作用，因此不容易发生变压器的偏磁和直流磁饱和。

九、半桥差动电路公式？

半桥式变压器开关电源与推挽式开关电源一样，也属于双激式开关电源，因此用于半桥式开关电源的变压器铁心的磁感应强度B，可从负的最大值-Bm，变化到正的最大值+Bm，并且变压器铁心可以不用留气隙。半桥式开关电源变压器的计算方法与前面推挽式开关电源变压器的计算方法基本相同，只是直接加到变压器初级线圈两端的电压仅等于输入电压Ui的二分之一。

十、怎样接半桥电路？

抱歉我似乎是知道答案了。

相对壁内可以。

我也是做了验证性实验 最终发现无论怎么换，只要是半桥差动电路，都是可以的。

两个应变片一个受压一个受拉，应变符号相反，工作时将两个应变片接入电桥的相邻壁内，即为半桥差动电路。