电容击穿后电容变大吗？

一、电容击穿后电容变大吗？

电容器是一种储能元器件。最常见的电容器是由两金属板(多用铝箔片)，中夹置电介质(如纸介，瓷介等)。由金属箔片上引出两极制成。当电容器两极板间存在电势差时，两极板被充电，而带上等量异种电荷。当电容器被击穿时，实际是两极板间的电介质被击穿，这时两极板被连通。电容器在电路中相当于短路。所以被击穿的电容器其电容为零。所以被击穿的电容器，电容不会增大。

二、电容击穿检测方法？

有很多种。 首先，针对不同的电容器类型，检测方法也有所不同。目前主要的电容器有固体电容器、液体电容器和空气电容器。 其次，电容击穿的原因很多，如外加电场过大、环境温湿度等因素。所以具体的检测方法需要结合电容器的特性和使用环境来确定。 常用的有高压放电检测法、交流击穿检测法、直流电容器维护器法等。其中高压放电检测法是常用的一种方法，通过升高电压来寻找电容器的击穿电压。

三、陶瓷电容击穿电压？

击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿。电容器两极板间随着充电电荷的增加，极板间的电压差也在增大，极板间的电场强度增大，当极板间电压大到一定程度时，极板间的电场将极板间的电介质电离成导电离子，这样两极板间形成瞬时强大的电流，这时电容就被击穿了，这个电压叫击穿电压。

电容器具有“通交流、隔直流”的特性，直流电的极性和电压大小是固定不变的，不能通过电容器。而交流电的极性和电压的大小是不断变化的。能使电容器不断地充电与放电，形成充、放电电流。

四、晶闸管电压击穿与电流击穿现象？

1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

　　3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

　　4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

五、击穿电流怎么算？

以npn型三极管为例，三极管的穿透电流为:

Iceo=(1+β)*Icbo

Iceo 穿透电流

Icbo 集电结反向饱和电流

β 电流放大系数

上式表明，穿透电流Iceo一般比反向饱和电流Icbo大十几倍到几十倍。

穿透电流就是基极开路时的集电极电流，此时不受基极控制，而是从集电极直接穿透基区到达发射极的电流，所以称为穿透电流。

六、击穿电流是什么？

电流不会击穿，只有电压才会击穿，电压是形成电流的原因。当电压升至某个临界值时，发生电击穿，称为击穿电压。这时由于气（物）体绝缘性遭破坏，电流急骤上升，而放电电压没有增加。泄漏电流是指在没有故障施加电压的情况下，电气中带相互绝缘的金属零件之间，或带电零件与接地零件之间，通过其周围介质或绝缘表面所形成的电流称为泄漏电流。

七、电流击穿的原理？

在电场的作用下，当电场强度足够大时，介质内部的电子带着从电场获得的能量，急剧地碰撞它附近的原子和离子，使之游离。

因游离而产生的自由电子在电场的作用下又继续和其他原子或离子发生碰撞，这个过程不断地发展下去，使自由电子越来越多。

在电场作用下定向流动的自由电子多了，如此不断循环下去，终于在绝缘结构中形成了导电通道，绝缘性能就完全被破坏。

八、何为反向击穿?电流击穿和热击穿有何区别?

反向击穿，是器件在受到的反向电压超过了它的耐压极限时发生的器件毁坏，"击穿"意味着其失去了应有的阻值，内部短路，会影响电路正常运行。如二极管的反向电压参数就是防止其损坏的。电流击穿是器件受到超载荷电流使其损坏。热击穿是超出器件材料能承受的热量或环境温度过高，造成器件损坏。

九、电容会被ESD击穿吗？

会。

原因有以下两点：

1、电容器的热击穿是由于介质中某些弱点处热平衡状态受到破坏，使电容器内部温度不断升高，当超过介质的最高极限温度时，引起的击穿。

2、电容器在电场作用下，瞬时发生的击穿为电压击穿。

十、电容器击穿原理？

1.

过电压、过电流运行导致电容器的工作电压超出设备的最大耐压，继而导致电容介质损耗严重，绝缘性被破坏，介质被击穿。

2.

电容器的质量不过关，相关工艺潦草，日常运行时漏电情况严重，致使电容器温度过高，介质绝缘强度下降，最终可能导致击穿现象的发生。

3.

电容器自身的封闭性较差，使用安装环境不够干燥，导致电容内部进水，致使绝缘电阻降低发生击穿。

4.

带电荷合闸操作，冲击电流导致电容器被击穿损坏