变压器饱和电流计算方法？

一、变压器饱和电流计算方法？

变压器电流计算公式是i=s/1.732/u。i--电流，单位a，s--变压器容量，单位kva，u--电压，单位kv。二、快速估算法，变压器容量／100，取整数倍，然后5.5=高压侧电流值，如果要是＊144，就是低压侧电流值。

变压器按用途可以分为：

配电变压器、电力变压器、全密封变压器、组合式变压器、干式变压器、油浸式变压器、单相变压器、电炉变压器、整流变压器、电抗器、抗干扰变压器、防雷变压器、箱式变电器试验变压器。

转角变压器、大电流变压器、励磁变压器等。主要功能有，电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压（磁饱和变压器）等。

二、饱和电流定义？

饱和电流：

在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提高光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的约束，有一个最大值，这个值就是饱和电流。

当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，饱和电流也随之增大。

三、饱和电流是什么？

在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提高光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的约束，有一个最大值，这个值就是饱和电流。

只要光的频率超过某一极限频率，受光照射的金属表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在金属外面加一个闭合电路，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。不加电源也会产生电流，若加逆向电源，会减小光电流。正向电流会增大光电流。

所以，当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，饱和电流也随之增大。

四、饱和电流is的计算？

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算,式中t0为参考温度。

五、饱和电流的推导？

饱和光电流公式计算公式：I=ne/t，光电效应的光电流，金属物体在光的照射抄下发射电子，使金属带正电的现象叫光电效应，发射出的电子叫光电子，很多光袭电子形成的电流叫光电流

六、关于饱和电流的公式？

磁感应强度B是垂直于单位面积的磁力线的数量；磁通Φ是磁感应强度B与面积的乘积，即Φ=BS，B=Φ/S，而磁链Ψ是导电线圈或电流回路所链环的总磁通量，即Ψ=NΦ=LI，Φ=LI/N，代入B=Φ/S=LI/N/S，N匝数，S面积都是不变的，磁饱和后B也是不变，那电流再增加的话，L就要减小，知道没有感值，相当于一导线，即失去电感作用。或，磁导率u=B/H，B=LI/N/S，H=NIK（N匝数，I电流，K系数），那u=LI/N/S/NIK，L=uN^2SK，匝数N不变，面积S不变，系数K不变，而磁导率u会随电流增大而较小，当饱和时磁导率u趋近于1，再增加，那磁导率u趋近于0，从公式看，电感是与磁导率正比的，即电流一直增加，电感值也趋近于0，没有感值，失去电感作用。

七、饱和电流的物理意义？

饱和电流 Isat 一般是指电感值相对于初始值衰减 30%（一些厂家是 10%，40%）的偏置电流。

电感一般都含有磁芯，特别是功率电感，磁芯是存在磁饱和的。什么是磁饱和呢？由于磁芯材料自身的特性，其通过的磁通量是不可以无限增大的。通过一定体积导磁材料的磁通量大到一定数量将不再增加，不管你再增加电流或匝数，就达到磁饱和了。

当电流已经使磁芯饱和，再增加电流，也基本不会再使磁通量增加，或者说增加很少，等同于空心电感的增量，因为饱和之后磁芯失去作用，等同于空心电感。

电流增大，而磁通量不增加，那么电感阻碍电流的作用就没有了，也就是说电感器失去了作用，这时的磁芯完全饱和。

八、增大饱和电流的方法？

有两个方法，

1用逆变的方法，那样电压会下降。由于效率的问题。输出的功率也会降低。逆变消耗的功率一块电池板也许不够用，这个方法就行不通了。

2并联太阳能电池板，电流会成倍加大。功率也会成倍的加大

电压取决于盐水浓度和两极板的材料；浓度越大，电压越大；单质活性相差越多，就电压越大

应该问的是最大供电能力吧，反应速度越大，供电能力越大

九、什么是反向饱和电流？

反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。

二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

其他器件中也有类似的情况。 　

其根本在于PN结的单向导电性。

反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。 

十、mos管速度饱和电流公式？

直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）

先求出传递函数，可以用节点电压法：

设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：

u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)

u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）

式中，w=2*3.14*f 是角频率

T32=R3*C2 是同相端时间常数

u-=u0*R/(Rf+R) （3）

设运放放大倍数是无穷大，则有

u+=u-

即（2）=（3）

u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)

u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)

式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数

(4)代入(1)

u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0

u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3

u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

整理一下写为：

u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q

根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32

令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0

方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，

w2=2*3.14* 30MHZ，

对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即

(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0

W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0

得

B= -2*3.14*50M

C=4*3.14^2*600*M^2

待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。