pn结 饱和电流 温度特性？

一、pn结 饱和电流 温度特性？

1、正向导通，反向截止。当正向电压达到一定值时（硅管0.7伏，锗管0.3伏）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的。

　　2、有两种载流子，即电子和空穴。

　　3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。

正向偏置时，空间电荷区缩小，削弱内电场，外电场增大到一定值以后，扩散电流显著增加，形成明显的正向电流，PN结导通。

　　反向偏置时，空间电荷区拓展，加强内电场，扩散运动大大减弱，少子的漂移运动增强并占优势。然而常温下掺杂半导体的少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。

　　温度一定时，少子浓度一定，PN结反向电流几乎与外加反向电压无关，所以又称为反向饱和电流。

二、pn结反向电压内部电流关系？

给PN结加正向电压时，pn结变薄，可以有正向电流通过，此时电压降为0.65伏特左右（硅管）。给PN结加反向电压时，pn结变厚，仅有极微量的电流（漏电流）通过。此时为反向阻断状态，当反向电压加到足够大，pn结被击穿，pn结就变为一个纯导体了。

光伏电池也是如此。

三、pn结整流特性？

PN结整流特性是指当半导体材料中PN结被正向或反向偏置时，所表现出的电流流动特性。1. 正向偏置特性：当PN结被正向偏置时，即在P区加正电压而在N区加负电压，此时PN结会变薄，使得载流子能通过结层进行流动。在正向偏置下，当正电压增大时，PN结就会开始导通，电流呈指数增长。正向偏置时，PN结的电流主要由少数载流子贡献，即电子从N区向P区注入，同时空穴从P区向N区注入，导致电流的流动。而且，正向偏置情况下，PN结的阻抗很小，相对来说电流容易流动。2. 反向偏置特性：当PN结被反向偏置时，即在P区加负电压而在N区加正电压，此时PN结会变厚，使得空间电荷区增宽，从而阻止了载流子的流动。在反向偏置下，PN结的电流非常小，可以近似看作是截止状态。当反向偏压增大到一定程度时，PN结会发生击穿现象，电流急剧增大，这是因为击穿时电子与空穴可以通过空穴-电子对产生电子对（电离）的方式流动形成电流。总结：PN结的正向偏置特性表现为低阻抗通过电流，反向偏置特性表现为截止电流，直到达到一定电压会发生击穿。这种特性使得PN结在电子学和电力电子等领域中广泛应用，例如用于整流、开关、放大器等电路中。

四、pn结加正向电压时电流方向？

1、正向电压（正向偏置）：PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极；

2、PN结加正向电压时，在PN结上会形成方向从P指向N的外电场，这个外电场的方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，使漂移运动和扩散运动的平衡被打破，扩散运动加强。由于这时扩散了的多子可以由外电场得到源源不断的补充，形成了流入P区的电流，称为正向导通电流。又因为这个电流是由多子形成的，其值比较大，此时PN结的内阻较小，类似于开关闭合。

五、pn结最大电流？

二极管的最大电流参数相关的主要有：最大整流电流IF，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关；正向峰值电流（正向最大电流）IFM（IM），是在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流；反向峰值电流IRM；反向不重复峰值电流IRSM；最大稳压电流IZM，仅适用于稳压二极管。

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

六、pn结电流分类？

扩散，漂移，产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。反向饱和电流有扩散和漂移。体漏电流有产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。表面漏电流有表面产生复合，表面遂穿，表面沟道电流。

PN结

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

七、PN结具有什么特性？

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。

比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。

八、pn结反向电压？

应该是pn结反向裁止

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。

N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。

P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

九、pn结击穿电压？

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的

十、pn结死区电压？

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。

在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。