1、做霍尔效应实验时，为什么要改变霍尔元件工作电流的方向和励磁线圈电流的方向？

一、1、做霍尔效应实验时，为什么要改变霍尔元件工作电流的方向和励磁线圈电流的方向？

1、霍尔效应实验的工作电流和励磁电流都是用的恒流源，改变励磁电流方向，电流的大小是不变的。

2霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。 虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。

二、霍尔元件电流多少？

霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。

早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge）。

很显然，霍尔元件电流大小是5a。

三、霍尔元件的工作原理？

霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。

四、霍尔元件最小电流是多少？

5a。

霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。

早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge）。

很显然，霍尔元件电流大小是5a。

五、霍尔元件适用的电流是？

开关型霍尔的额定输出电流(负载能力)一般为25mA,但有些可以达到50mA;静态电源电流为5mA左右 线性霍尔的负载能力要弱些,一般为1-2mA,静态电流大约在5mA上下。

六、无刷电机霍尔元件工作原理？

霍耳信号传递给控制器，控制器通过粗线（不是霍耳线）给电机线圈供电，电机旋转，磁钢与线圈发生转动，霍耳感应出新的位置信号，控制器粗线又给电机线圈重新改变电流方向供电，电机继续旋转。

七、霍尔元件电流计算公式？

霍尔效应从本质上讲是运动的带点粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。其中由fm=qvb和fe=qEh得Eh=vB。

Eh=Uh/b 得Uh=Ehb=vBb。Is=dQ/dt=nedV/dt=nedbv。

Uh=IsB/ned，Uh=RhIsB/d得Uh=KhIsB。

如果已知霍尔片得灵敏度Kh，只要分别测出霍尔电压Vh和工作电流Is，就可以计算出磁场B的大小，即B=Uh/Kh*Is。这为利用霍尔效应测磁场的原理。在一定的外磁场B中，如果已知霍尔片的灵敏度Kh，只要测出霍尔电压Vh，就可以计算出通过霍尔元件的工作电流Is，即Is=Uh/Kh*B。这为利用霍尔效应检测电流的原理。

八、霍尔元件和反霍尔元件原理？

霍尔元件工作原理是当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。

九、霍尔元件的工作电流采用交流电有什么优点？

霍尔元件的工作电流采用交流电可以减小测量误差。

1、实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律，速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力，向霍尔电场作用力方向偏转，速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力，向洛伦兹力方向偏转。这样使得一侧告诉载流子较多，相当于温度较高，而另一侧低速载流子较多，相当于温度较低。这种横向温差就是温差电动势VE，这种现象称为爱延豪森效应。这种效应建立需要一定时间，如果采用直流电测量时会因此而给霍尔电压测量带来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延豪森效应来不及建立，可以减小测量误差。

2、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。

3、霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。

4、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时产生横向电位差的物理现象。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。

十、霍尔元件通以交变电流如何测量霍尔电压？

测量输出电压的平均值或真有效值。平均值，有源整流后滤波为直流。真有效值直接用真有效值集成电路。