用数字万用表怎样判断可控硅好坏？

一、用数字万用表怎样判断可控硅好坏？

1、使用数字万用表检查可控硅

数字万用表拨至二极管挡，红表笔接某一电极，黑表笔分别 接触另外两个电极。如果其中有一次显示电压为零点几伏， 则此时红表笔接的是控制极G，黑表笔接的是阴极K，余下 的则是阳极A。假如两次都显示溢出，说明红表笔接的不是 控制极，需更换电极重测。

测试可控硅的触发能力数字万用 PNP挡，此时 hFE 插口上的两个 带负电，电压为2.8V。可控硅的三个电极各用一根导线引出，阳极A、阴极K 引线分别插人E 孔，控制极G悬空。 此时可控硅关断，阳极电流为零，将显示 000。把控制极 插人另一个E孔。

显示值将从000 开始迅速增加，直到显示 溢出符号后，立即又变成 000，然后再次从 000 变到溢出， 这样周而复始。采用此法可确定可控硅的触发是否可靠。但 这样的测试由于电流较大，应尽量缩短测试时间。必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的保护电阻。如果使用 NPN 挡，可控硅阳极A 应接C 孔，阴极K 孔，以保证所加的是正向电压。

一、可控硅：

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

二、测量方法：

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） [1] 。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。

可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

二、电炉可控硅烧坏怎么判断？

电炉可控硅烧坏，可用下面方向判断。

判断可控硅好坏，需要把可控硅从设备上拆下来测。

用万用表Rx10测可控硅三个引脚之间的电阻值，如果正反向都是电阻很小，或正反电阻都是非常大，说明可控硅已击穿短路或烧断。

如果阴极与控制极电阻较小，且正反向有较大差别，且阳极与阴极，阳极与控制极电阻都很大，说明可控硅是好的。

三、怎样用万用表快速判断可控硅的极性？

用二极管档测任意两个引脚的示数，只有一种接法的示数是比较小的，大概为700左右，这时红表笔接的是G极，黑表笔接的是K极，剩下的那个就是A极。其他的的接法万用表示数都是1，表示无穷大

四、可控硅整流模块怎么判断好坏？

判断可控硅整流器好坏的方法：

1、可以通过万用表进行检测，将万用表调制电阻档，如果得出的数据正好是整流器的阻值，那么就说明该整流器是好的;

2、如果得出的数据为无穷大，那就说明这个整流器是坏的，内部可能存在断路;

3、如果得出的数据为零，那这个整流器还是坏的，说明内部可能存在短路。

五、焊机可控硅好坏判断方法？

与普通单管可控硅检测方法一样，1、用万用表电阻档两驱动阻值在10-200欧姆，过高过低都有问题；10K档量可控硅间无穷大，有阻值就坏了。

2、给驱动施加一个1·5伏电压，用表二极管档量可控硅间是否有单相导通，无，就坏了。一般模块上都有连线图，只不过是两个、三个而已。

六、二保焊机可控硅怎么判断好坏？

用指针万用表ΩX1档，红笔接T1，黑笔同时接T2和G，指针应偏转较大。然后，在保持黑笔与T2连接的情况下，让黑笔脱开G，指针应保持不变，说明能维持导通，为正常。单向可控硅的话，就到此为止了。对于双向可控硅，还要交换红、黑笔，重复上述过程，以表示双向均完好。双向二极管只能用万用表测其是否击穿短路，别无它法。

七、可控硅的型号如何判断？

以根据以下特征来判断：

1. 电压等级：可控硅的电压等级通常在数百伏至数千伏之间，应选择与电路设计所需电压相匹配的型号。

2. 最大耐受电流：可控硅的最大耐受电流应与电路需要的电流相匹配。

3. 封装形式：可控硅的封装形式有多种，如TO-220、TO-247、TO-126、TO-92等，可根据不同的应用场景和电路板的大小来选择封装形式。

4. 触发电流：触发电流是指控制可控硅导通的电流。不同型号的可控硅具有不同的触发电流范围，应选择符合电路需求的触发电流型号。

5. 脉冲电流：脉冲电流是可控硅的额定脉冲焊接电流，应看电路需要是否需要。

6. 反向电压：反向电压是已故的电压，因此需特别注意。

在选择型号时，还要注意可控硅的工作环境温度范围、耐受电压、最大导通压降、开关特性等参数，以确保在电路中正常工作。如果不确定，最好咨询相关专业人员或查看可控硅的详细规格说明。

八、电风扇可控硅好坏判断？

取一指针式三用电表摆在电阻挡Rx1红棒摆在阴极黑棒摆在阳极然后用黑棒的电位去碰触控制极。这时要导通放开控制极一样要导通，黑棒放开断路。若是这样属於好的，若是不触发控制极就导通那就坏掉了。半导体的标准工作温度是25度C他有一个温升曲线温度越高效率越低升到100度C的时候效率几乎等於零。等冷却了效率才会回升。

九、800a可控硅判断好坏？

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.

十、如何判断可控硅的参数？

选用可控硅，选择、使用单向可控硅时要注意的主要参数有：

一、额定通态平均电流IT(AV)

在环境温度为 40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170&;#176;电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。

二、通态平均电压UT(AV)

在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。

三、控制极触发电压UGT

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。

四、控制极触发电流IGT

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。

五、断态重复峰值电压UPFV

在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。

六、反向重复峰值电压UPRV

在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。

七、维持电压IH

在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。