基准电压和参考电压的区别？

一、基准电压和参考电压的区别？

参考电压”说成是“基准电压”更好理解。在电路中我们常需要有一些准确的电压或电流，以便产生准确的输出，如在作DC转DC转换时。对基准电压的要求是稳定，要基本不随外界因素如电源电压、温度等变化的。例如MAX1631是一个常用的主电源管理芯片，它的基准电压的输出随外界环境电压的变化率只有约0.002，随温度变化不到50ppm。这对于普通2.5V电压来说是完全不具备的，这是基准电压源与普通电压源的基本区别。

基准电压源输出的电流不一定小，而且还可以扩展。但是电压一定是恒定不变的。这种要求的严格程度还是主要看具体电路的用途。

二、什么是阈值电压和关闭电压？

阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

截止电压就是终止电压，是指电池放电时，电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件，终止电压不同。

三、阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

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四、测阈值电压的方法？

阈值电压 ：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。举例说明：如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一；如描述场发射的特性时，电流打到10mA时的电压被称为阈值电压。

五、阈值电压偏大的原因？

阀电压（门限电压）VTH，功率MOSFET的阈值电压，也有些工程师称之为门坎电压，就是功率MOSFET的导通电压。

1、供电所由于检修或其它原因造成你的入户线没有中性线(零线)，这种状况你用验电笔测一下就知道。

2、变压器输出端的中性接地线断(或者接地不良)，由于三相不可能绝对平衡供电，这样就造成部分用电户的电压严重超高，会烧坏部分电器。

六、coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊？

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。

七、反相器的阈值电压？

在理想情况下，反相器的阈值电压应该为0V，即当输入信号的电压为0V时，输出信号的电压应该为Vcc（正电源电压）。

但是，在实际应用中，由于器件的非理想性和环境的影响，反相器的阈值电压往往会存在一定的偏差。反相器阈值电压的偏差会影响反相器的工作状态和性能。当反相器的阈值电压过高或过低时，会导致输出信号的失真。

八、74ls14的阈值电压？

74LS14是六反相施密特触发器。不存在放大的功能。是施密特触发电路功能。当输入电压由低向高变化时，若电压超过正向阈值电压Vt+，输出为低电平。当输入电压由高向低变化时，输入电压要低于另一个阈值电压Vt-时，输出为高电平。

九、cmos集成电路的阈值电压？

在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压，通过将其相减抵消温度系数，从而得到任意大小的零温度系数基准电压值。该设计方案基于某公司0.5μm CMOS工艺设计，经HSpice仿真验证表明，各项指标均已达到设计要求。

　　电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元，它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC，DAC等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。目前最常见的实现方式是带隙（Bandgap）电压基准，它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加权求和来获得零温度系数的基准电压。但是，在这种设计中，由于正温度系数的电压一般都是通过晶体管的be结压差得到的，负温度系数电压则直接利用晶体管的be 结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具有以下局限性：

　　（1）CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确；

　　（2）寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压；

　　（3）在整个温度区间内，由于Vbe和温度的非线性关系，当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲率补偿。

　　为了解决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。它巧妙利用PMOS和NMOS阈值电压的温度特性，合成产生与温度无关的电压基准，整个电路不使用双极晶体管，克服了非线性的温度因子，并能产生任意大小的基准电压值。

十、径向基准和轴向基准的区别？

区别是：直不直接。

径向基准是以孔或轴的中心线为基准，而轴向基准是以面为基准。

中心线是理论上的，在图纸上看的见，但在实际上是摸不着的，不直接，实际工作中，是转换为圆的表面为基准。

反之，轴向基准摸的着，看的见，直接。