开关电源的阈值电压怎么测量？

一、开关电源的阈值电压怎么测量？

1. 如果有示波器和电流棒， 可以直接用示波器测试RMS值, 2. 如果没有示波器, 那么可以在电源输出端串联一个0.1欧姆的电阻, 功率根据电流去算， 在测量电阻上的压降, 用这个测出来的电压除以电阻, 就是电流,

二、什么是阈值电压和关闭电压？

阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

截止电压就是终止电压，是指电池放电时，电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件，终止电压不同。

三、阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

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四、测阈值电压的方法？

阈值电压 ：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。举例说明：如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一；如描述场发射的特性时，电流打到10mA时的电压被称为阈值电压。

五、门坎电压或阈值电压是多少？

　　可以串联一个硅二极管，硅二极管的压降是0.7V，降压后即可对3V电池充电。　　二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

六、阈值电压偏大的原因？

阀电压（门限电压）VTH，功率MOSFET的阈值电压，也有些工程师称之为门坎电压，就是功率MOSFET的导通电压。

1、供电所由于检修或其它原因造成你的入户线没有中性线(零线)，这种状况你用验电笔测一下就知道。

2、变压器输出端的中性接地线断(或者接地不良)，由于三相不可能绝对平衡供电，这样就造成部分用电户的电压严重超高，会烧坏部分电器。

七、栅源极阈值电压？

应该是漏极电压和栅极电压，就是场效应管其中漏极和栅极的电压

八、coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊？

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。

九、电压比较器阈值电压什么意思？

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

十、阈值电压计算公式？

阈值电压的计算公式可以根据不同的设备类型和条件进行调整。在NMOS场效应晶体管中，阈值电压的表达式为：

\[ VT = VFB + Vox + \phi_s ]

其中，VT代表阈值电压，VFB是半导体平带电压，Vox则是栅氧化层上的压降，而ϕ_s是饱和迁移率。

然而，对于更为复杂的设备或情况，阈值电压的公式可能会包含更多的参数。例如，一个更完整的NMOS阈值电压公式可能包括产生电子反型层的电荷（Q_SD）在栅氧化层上引起的电压降。此外，阈值电压也可能取决于特定的器件特性，如场发射特性时，电流达到10mA时的电压就被称为阈值电压。